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DDR5 是新一代 DRAM 内存，具有一系列强大的功能，可提升可靠性、可用性和可维护性 (RAS)，降低能耗并显著提高性能。请查看下方表格，了解 DDR4 和 DDR5 之间的一些主要特性差异。
DDR5 的优势
| 特性/选项 | DDR4 | DDR5 | DDR5 优势 | |
|---|---|---|---|---|
| 数据速率 | 600-3200MT/s | 4800-8800MT/s | 提高性能和带宽 | |
| VDD/VDDQ/VPP | 1.2/1.2/2.5 | 1.1/1.1/1.8 | 更低功耗 | |
| 内部 VREF | VREFDQ | VREFDQ、VREFCA、VREFCS | 提高电压裕度，降低 BOM 成本 | |
| 设备存储密度 | 2Gb-16Gb | 16Gb、24Gb、32Gb | 支持容量更大的单芯片设备 | |
| 预取 | 8n | 16n | 保持较低的内部核心时钟 | |
| DQ 接收器均衡 | CTLE | DFE | 改善 DRAM 内接收的 DQ 数据眼图的张开度 | |
| 占空比调整 (DCA) | 无 | DQ 和 DQS | 改善发送 DQ/DQS 引脚上的信号 | |
| 内部 DQS 延迟监控 | 无 | DQS 间隔振荡器 | 增强环境变化时的稳健性 | |
| 片上 ECC | 无 | 128b+8b SEC、错误检查和清理 | 增强片上 RAS | |
| CRC | 写入 | 读/写 | 通过保护读取数据操作增强系统 RAS | |
| 存储体组 (BG)/存储体 | 4 BG x 4 存储体 (x4/x8) 2 BG x 4 存储体 (x16) | 8 BG x 4 存储体 (16-64Gb x4/x8) 4 BG x 4 存储体 (16-64Gb x16) | 提高带宽/性能 | |
| 命令/地址接口 | ODT、CKE、ACT、RAS、CAS、WE、A<X:0> | CA<13:0> | 显著减少 CA 引脚数 | |
| ODT | DQ、DQS、DM/DBI | DQ、DQS、DM、CA 总线 | 提高信号完整度，降低 BOM 成本 | |
| 突发长度 | BL8（以及 BC4） | BL16（以及 BC8 OTF） | 仅使用 1 个 DIMM 子通道即可获取 64B 缓存行。 | |
| MIR（“镜像”引脚） | 无 | 有 | 改善 DIMM 信号 | |
| 总线反转 | 数据总线反转 (DBI) | 命令/地址反转 (CAI) | 降低 VDDQ 噪声 | |
| CA 训练、CS 训练 | 无 | CA 训练、CS 训练 | 改善 CA 和 CS 引脚上的时序裕度 | |
| 写入均衡训练模式 | 有 | 进一步改进 | 补偿不匹配的 DQ-DQS 路径 | |
| 读取训练模式 | 可通过 MPR 实现 | 专用 MR，用于串行（用户定义）、时钟和 LFSR 生成的训练模式 | 使读取时序裕度更加稳健 | |
| 模式寄存器 | 7 x 17 位 | 最多 256 x 8 位（LPDDR 类型读/写） | 提供扩展能力 | |
| PRECHARGE 命令 | 所有存储体、每个储存体 | 所有存储体、每个储存体、同一存储体 | PREsb 允许在每个 BG 中对存储体预充电 | |
| REFRESH 命令 | 所有存储体 | 所有存储体、同一存储体 | REFsb 允许在每个 BG 中刷新存储体 | |
| 环回模式 | 无 | 有 | 支持 DQ 和 DQS 信号测试 |
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