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低温对MOSFET的影响是多个维度的，主要表现在MOS管的导通特性，开关特性，击穿特性，漏电流，阈值电压等。
1.关于低温对阈值电压的影响
在低温下，MOSFET的阈值电压会略有升上。这就意味着，在给定的栅极电压下，MOSFET更加难以开启，这就造成
了MOSFET进入了亚阈值或者导通不完全的状态。对3.3v/1.8v这种低压驱动场合影响比较大。主要是影响了电路
中的驱动电流，驱动电流减小。电路中的mos开关可能无法完全打开，造成误操作。
2.导通电阻的降低
在低温下，半导体的载流子迁移率提升，导致导通电阻降低。Rds_on降低了，这样导通损耗减少了，有利于功率效率的提升。
3.开关速度的加快
由于载流子迁移率变高，MOSFET 开关速度变快；但这也可能带来更多 EMI（电磁干扰）或震荡问题，特别是在没有足够缓冲或驱动匹配时。
4. 漏电流（I_ds）显著减小
热激发电子减少 → 漏电流变小，尤其是静态漏电。
5. 击穿电压升高
低温下，载流子复合减少 → 击穿电压略有升高；