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关于ESD（静电放电）等级的划分，主要依据不同的测试模型和测试标准。以下是对HBM（人体模型）和CDM（充电器件模型）两种测试模型下ESD等级划分的详细解释：
HBM ESD等级划分
HBM ESD等级划分主要基于电子元器件所能够耐受的电击强度，常见的等级划分如下：
- Class 0：HBM < 250V
- Class 1A：250V ≤ HBM < 500V
- Class 1B：500V ≤ HBM < 1000V
- Class 1C：1000V ≤ HBM < 2000V
- Class 2（即HBM ESD Classification Level 2）：2000V ≤ HBM < 4000V
- Class 3A：4000V ≤ HBM < 8000V
- Class 3B：8000V ≤ HBM
在这些等级中，随着数字的增大，表示元器件所能承受的静电放电电压也越高，即抗静电放电能力越强。
CDM ESD等级划分
对于CDM ESD等级，其划分主要基于器件能够承受的静电放电电荷量。不过，关于CDM的具体等级划分，不同标准可能有所不同。以美国国家标准ANSI/ESD STM 5.3-1999为例，它将CDM的静电敏感度划分为7级，具体如下：
- C1：< 125V
- C2：125V ≤ CDM < 250V
- C3：250V ≤ CDM < 500V
- C4：500V ≤ CDM < 1000V（即Device CDM ESD Classification Level C4）
- C5：1000V ≤ CDM < 1500V
- C6：1500V ≤ CDM < 2000V
- C7：≥ 2000V
在这些等级中，随着数字的增大，表示器件所能承受的静电放电电荷量也越大，即抗静电放电能力越强。
综上所述，HBM和CDM两种测试模型下的ESD等级划分主要基于元器件或器件所能承受的静电放电电压或电荷量来划分。在实际应用中，需要根据具体的测试标准和测试方法来准确理解和比较不同设备的ESD等级。