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一是EEPROM操作简单，EEPROM写操作简单，写之前不需要擦除，而flash在写之前必须要先擦除。如果只是替换其中几个字节，需要先把整个扇区搬移到另外一个扇区，擦除要写的这个扇区，再把新的内容写进去，当然有文件系统会自动做这些，而且不是每次改写都要擦除，但相较于EEPROM还是很复杂。

二是EEPROM的寿命比flash高，一般EEPROM最少是100w次的，像ST的EEPROM手册里都标称400w，我做过实验这种EEPROM可以达到小2000w次的寿命；而flash的标称寿命是10w次，我做寿命实验也都是四五十w次左右，远远低于EEPROM。

三是EEPROM功耗低，如果需要掉电保护数据，电解电容的电都足够EEPROM使用。如果还需要在掉电下从EEPROM读数据，而且对功耗又比较敏感，EEPROM就可以很好的满足需求。

EEPROM的缺点主要就是单位容量价格贵，相比于flash动不动都是MB的单位，EEPROM一般都是KB的单位。主要还是看需求，如果存储的数据不多，对功耗又比较敏感，那么EEPROM是比较合适的。就算是需要用到flash，那么可以在EEPROM中放一些重要的参数，EEPROM的可靠性还是高于flash的。